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EA2801QLT1026相关型号
  • QPD1011SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN

  • QPD1018

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET

  • QPD1022SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN

  • QPD1020SR

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

  • QPD1881L

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor

  • QPD2731SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty

  • QPD2194SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2195SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

Qorvo热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • EA2801QLT1026

  • 制造商:Qorvo US Inc.
  • 批号:19+
  • 描述:EVAL KIT FOR ACT2801QL-T
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 类型电源管理
  • 功能电池充电器
  • 嵌入式-
  • 使用的 IC/零件ACT2801
  • 主要属性过压防护
  • 所含物品

其它信息

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