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QPD1020SR相关型号
Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1020SR

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:GaN SiC
  • Id-连续漏极电流:100 mA
  • Vds-漏源极击穿电压:50 V
  • 增益:18.4 dB
  • 输出功率:31 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DFN-8
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz
  • 类型:RF Small Signal MOSFET
  • 商标:Qorvo
  • 通道数量:1 Channel
  • 湿度敏感性:Yes
  • Pd-功率耗散:30 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:100
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 2.8 V

其它信息

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