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QPD1881L相关型号

  • TGS2354

    RF 开关 IC .5-6GHz SPDT 40 Watt GaN

  • TGS2353-2

    RF 开关 IC DC-18GHz SPDT IL <1.5dB GaN

  • TGA2533

    射频放大器 12.7-15.4GHz Pwr 34.5dBm RL 15 dB

  • TGL2223

    衰减器 .1-31GHz Attn 15.5dB 5 Bit LSB .5dB GaN

  • TGC4403

    射频放大器 8 - 15GHz Doubler w/Amplifier

  • TGP2615

    相位探测器 / 移相器 15-19GHz IL 7dB 6 Bit phase shifter

  • TGS2313

    RF 开关 IC 4-18GHz SP3T VPIN Switch

  • TGA2505

    射频放大器 13-17 GHz Ku Band 2W HPA

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1881L

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:21.2 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:145 V
  • Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 2 V
  • Id-连续漏极电流:13 A
  • 最大漏极/栅极电压:55 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:237 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI780-2
  • 配置:Single
  • 工作频率:2.7 GHz to 2.9 GHz
  • 商标:Qorvo
  • 开发套件:QPD1881LEVB01
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:25
  • 子类别:Transistors

其它信息

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