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SZA3044Z相关型号
  • QPD1011SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN

  • QPD1018

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET

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  • QPD1881L

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor

  • QPD2731SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty

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    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2195SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

Qorvo热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • SZA3044Z

  • 制造商:Qorvo
  • 批号:19+
  • 描述:射频放大器 2.7-3.8GHz Gain 24dB NF 5dB P1dB 30dBm
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频放大器
  • RoHS:
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:QFN-20
  • 类型:Power Amplifier
  • 技术:GaAs InGaP
  • 工作频率:2.7 GHz to 3.8 GHz
  • P1dB - 压缩点:30 dBm
  • 增益:24 dB
  • 工作电源电压:3 V to 6 V
  • NF—噪声系数:5 dB
  • 测试频率:3.6 GHz
  • 工作电源电流:205 mA
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 100 C
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 商标:Qorvo
  • 输入返回损失:15 dB
  • Pd-功率耗散:3.5 W
  • 产品类型:RF Amplifier
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits

其它信息

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