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QPD1019相关型号

  • RFGA2054SR

    射频放大器 50-3000MHz 5V Gain 18.4dB NF 3.6dB

  • RFFC5072SR

    射频混合器 LO Freq. 85-4200MHz WB Synthesizer/VCO

  • RF5521SR

    射频前端 2.4-2.5GHz FEM

  • RFFM6903SR

    射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/900MHz ISM Band

  • RFFM8250SR

    射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac BT

  • RFFM4555SR

    射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac

  • RFFM6901SR

    射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/915MHz ISM Band

  • RF2637TR13

    射频放大器 12-385MHz NF 5dB 3V P1dB 27dBm

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1019

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • 发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:16.3 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:150 V
  • Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 2 V
  • Id-连续漏极电流:15 A
  • 最大漏极/栅极电压:55 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:522 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
  • 配置:Single
  • 工作频率:2.9 GHz to 3.3 GHz
  • 商标:Qorvo
  • 开发套件:QPD1019EVB01
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:18
  • 子类别:Transistors

其它信息

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