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QPD1025相关型号

  • TGS2354

    RF 开关 IC .5-6GHz SPDT 40 Watt GaN

  • TGS2353-2

    RF 开关 IC DC-18GHz SPDT IL <1.5dB GaN

  • TGA2533

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  • TGL2223

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  • TGC4403

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  • TGP2615

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  • TGS2313

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  • TGA2505

    射频放大器 13-17 GHz Ku Band 2W HPA

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1025

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管极性:Dual N-Channel
  • 技术:GaN SiC
  • Id-连续漏极电流:28 A
  • Vds-漏源极击穿电压:65 V
  • 增益:22.5 dB
  • 输出功率:1.862 kW
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 封装 / 箱体:NI-1230-4
  • 封装:Tray
  • 工作频率:1 GHz to 1.1 GHz
  • 系列:QPD
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:Qorvo
  • 通道数量:2 Channel
  • 湿度敏感性:Yes
  • Pd-功率耗散:685 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:18
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 2.8 V

其它信息

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