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QPD2793相关型号
Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD2793

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:19 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:-
  • Vgs-栅源极击穿电压 :-
  • Id-连续漏极电流:-
  • 输出功率:200 W
  • 最大漏极/栅极电压:-
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:-
  • Pd-功率耗散:-
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI400-2
  • 封装:Tray
  • 应用:Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
  • 配置:Single
  • 工作频率:2.62 GHz to 2.69 GHz
  • 系列:QPD
  • 商标:Qorvo
  • 正向跨导 - 最小值:-
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:1130771

其它信息

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