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T1G2028536-FL相关型号

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Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • T1G2028536-FL

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，T1G2028536-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:20.8 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:36 V
  • Vgs-栅源极击穿电压 :145 V
  • Id-连续漏极电流:24 A
  • 输出功率:260 W
  • 最大漏极/栅极电压:48 V
  • 最大工作温度:+ 275 C
  • Pd-功率耗散:288 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装:Tray
  • 配置:Single
  • 工作频率:2 GHz
  • 产品:RF Power Transistor
  • 系列:T1G
  • 类型:GaN SiC HEMT
  • 商标:Qorvo
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:25
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:1111394

其它信息

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